导读 大家好，小詹来为大家解答以上问题。norflash与nandflash有什么区别，nand flash和nor flash区别很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧...
大家好，小詹来为大家解答以上问题。norflash与nandflash有什么区别，nand flash和nor flash区别很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！
解答：
1、 NANDflash和NORflash的区别在于NOR的读取速度比NAND稍快。与非门的写入速度比或非门快得多。与非门的擦除速度比或非门快得多。大多数写操作需要先擦除。NAND具有更小的擦除单元和更少的对应擦除电路。
2、 NAND闪存是比硬盘更好的存储方案，在b以下的低容量应用中尤为明显，随着人们不断追求功耗更低、重量更轻、性能更好的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。其发展目标是降低每比特存储成本，增加存储容量。
3、 EPROM是指内容可以通过特殊手段擦除，然后重写。采用浮栅雪崩注入的金属氧化物半导体电路，简称FAMOS。与MOS电路类似，它在N型衬底上生长两个高浓度P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间的绝缘层中有浮置的多晶硅栅极，并且与周围没有直接的电连接。在该电路中，浮栅是否充电表示淀积器的浮栅充电(如负电荷)后，在其正下方，在源极和漏极之间感应出正导电沟道，使MOS管导通，这意味着如果浮栅不充电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即被淀积。
本文到此讲解完毕了，希望对大家有帮助。